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在半導體制造中，晶圓表面缺陷與焊點質量檢測是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級表面完整性，后者則關乎封裝結構的電學與機械穩(wěn)定性。兩者通過光學、聲學及人工智能技術的深度融合，構建起從晶圓制造到封裝測試的全流程質量防線。一、晶圓表...
光學膜厚儀是一種用于測量薄膜厚度的儀器。它主要基于光學干涉的原理，可以在不破壞被測物表面的情況下進行非接觸式測量。由于其高精度、快速、穩(wěn)定等特點，廣泛應用于電子、光電、化學、材料科學等領域中。光學膜厚儀的最大特點就是其測量精度非常高，一般可達nanometer級別。同時，該儀器還具有快速測量、非接觸式測量和測量范圍廣等優(yōu)勢。對于快速測量來說，它通常只需要幾秒鐘甚至更短時間就可以完成一次測量，而且可以實現(xiàn)自動化測量，極大地提高了工作效率。對于非接觸式測量來說，這種測量方式避免了...
1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導和高電導的性能，幸運的是大部分金屬材料導熱性能好的同時導電性能也較好，使金屬鍵合技術成為目前LED產業(yè)中最常使用的鍵合技術，即以金屬膜為中間層實現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術提供了高熱導、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍光LED，采用金屬鍵合技術都能有效提高其熱學、電學和光學性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀90年代，人們對LED的研究進展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導體材料為光源的LED僅應用在光電探測及顯示領域。直到20世紀90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導體材料Si，Ge和第二代半導體材料GaAs，InP等之后的第...
01引言數(shù)據(jù)中心、電信網絡、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(SiPh)在實現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關鍵作用。因此，開發(fā)能夠經濟高效地擴大硅光子產品生產的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標準半導體大規(guī)模生產工藝和現(xiàn)有基礎設施，SiPh的晶圓制造能力已經成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關鍵瓶...
相較上一代平臺，全新自動掩模對準系統(tǒng)（IQAlignerNT）產出率和對準精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應用微機電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術以及半導體市場晶圓鍵合和光刻設備LINGXIAN供應商EVG集團（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應用推出的全新自動掩模對準系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機配備了高強度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點對準的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...