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晶圓表面與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè),半導(dǎo)體制造中的精密雙檢技術(shù)
2025-06-27

在半導(dǎo)體制造中,晶圓表面缺陷與焊點(diǎn)質(zhì)量檢測(cè)是保障芯片良率與可靠性的核心環(huán)節(jié)。前者聚焦于納米級(jí)表面完整性,后者則關(guān)乎封裝結(jié)構(gòu)的電學(xué)與機(jī)械穩(wěn)定性。兩者通過(guò)光學(xué)、聲學(xué)及人工智能技術(shù)的深度融合,構(gòu)建起從晶圓制造到封裝測(cè)試的全流程質(zhì)量防線。一、晶圓表...

  • 2023-04-12

    1.介紹對(duì)電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒?jí)封裝和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝,小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此,對(duì)于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長(zhǎng),以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級(jí)的互連。為了滿(mǎn)足這一新的行業(yè)愿景,需要能夠通過(guò)高級(jí)封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造(HVM)行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計(jì),并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時(shí)代。EVGroup開(kāi)發(fā)了MLE™(無(wú)掩模曝...

  • 2023-04-12

    一、優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)介:MicroSense的高精度電容式位移傳在感器,除具有一般非接觸式儀器的共性外,還具有信噪比高、靈敏度高、零漂小、頻響寬、非線性小、精度穩(wěn)定性好、抗電磁干擾能力強(qiáng)、使用方便等優(yōu)點(diǎn),在國(guó)內(nèi)研究所、高等院校、企業(yè)得到廣泛應(yīng)用,成為科研、教學(xué)和生產(chǎn)中一種非常重要的測(cè)試儀器。二、特點(diǎn):1、可實(shí)現(xiàn)近距離、高精度、非接觸式位置測(cè)量2、分辨率可達(dá)亞納米級(jí)直至皮納米級(jí),在所有商用電容傳感器品牌中,噪音ZUI低3、提供多種型號(hào)的探頭,以滿(mǎn)足高穩(wěn)定性、線性或高測(cè)量帶寬等不同需求4、...

  • 2023-04-12

    3結(jié)果與討論3.1顯影時(shí)間影響經(jīng)過(guò)無(wú)掩模光刻機(jī)曝光后,目標(biāo)圖案已轉(zhuǎn)移至ITO玻璃上。將ITO玻璃放置于加熱板上進(jìn)行加熱,烘除光刻膠中的殘留溶劑、水分,使光刻膠與ITO玻璃結(jié)合更加緊密,此時(shí),經(jīng)過(guò)曝光的光刻膠與未曝光的光刻膠在顯影液中會(huì)存在明顯的溶解速度差。將自然冷卻后的ITO玻璃浸沒(méi)于SU-8光刻膠專(zhuān)用顯影液中,由于本實(shí)驗(yàn)中采用的光刻膠為負(fù)膠,因此顯影目的是為了除去曝光區(qū)域以外的光刻膠。該方法的核心問(wèn)題是控制顯影時(shí)間。圖2為經(jīng)過(guò)不同顯影時(shí)間后,在Ti-E顯微鏡下觀察到的光刻膠...

  • 2023-04-12

    厚度電阻率測(cè)試是一種用于測(cè)量材料電阻率的方法,它可以幫助工程師評(píng)估材料的質(zhì)量和可靠性。該測(cè)試通常通過(guò)將兩個(gè)探頭放在材料的表面上,然后測(cè)量它們之間的電阻來(lái)完成。厚度電阻率測(cè)試有以下幾個(gè)特點(diǎn):1.非破壞性:與其他測(cè)試方法不同,它是一種非破壞性的測(cè)試方法。這意味著對(duì)于需要保留完整性、外觀或功能的材料,您可以快速檢查其電阻率而無(wú)需損壞樣品。因此,它是一種非常有用的測(cè)試方法,尤其適用于生產(chǎn)線上的大批量材料測(cè)試。2.精確性高:該測(cè)試可以提供非常準(zhǔn)確的結(jié)果。通過(guò)使用精密加工的探頭以及計(jì)算機(jī)...

  • 2023-04-12

    1引言ITO(indiumtinoxide)又稱(chēng)氧化銦錫,是一種銦錫金屬氧化物,因其具有光學(xué)透明性[1]、高導(dǎo)電性[2]、易加工性[3]及柔性潛力[4]等優(yōu)點(diǎn),目前在光電檢測(cè)、生物芯片及微納器件等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用,例如加工成熱光伏系統(tǒng)濾波器[5]、紅外輻射反射鏡涂層[6]、表面等離子體共振材料[7]等。在實(shí)際應(yīng)用中,ITO通常需先加工成各種形狀的電極,但由于曝光精度低、刻蝕工藝參數(shù)難以控制等原因,ITO電極特征尺寸無(wú)法進(jìn)一步降低。目前將ITO加工成電極的方法多種多樣,主要分...

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